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DHDP-1
射频CCP薄膜沉积装置
（电容耦合） |
本装置设备主要由薄膜沉积室、真空抽气系统、气源进气调节系统、衬底加热温度控制系统等部分组成。
主要实验内容
1、硅材料在薄膜太阳能电池上的应用；
2、硅系纳米复合薄膜材料PCVD法制备；
3、等离子体化学气相沉积制备各种功能薄膜。
主要技术参数
1、薄膜沉积室：玻璃钟罩+不锈钢底座；
2、溅射电源：13.56MHz，射频电源：300W；
3、射频耦合方式：电容耦合；
4、放电电极：Φ70 mm平板电极；
5、衬底范围：室温～300 ℃ PID；
6、工作反应气体：由微孔均匀导入；
7、工作电源：AC220V±5%，50Hz；
8、用户自备冷却水、硅烷等。 |
1、真空室尺寸：Φ230×260mm；
2、进气系统：二路质量流量计；
3、真空系统： 2XZ-4B机械泵，速率：4L/S；
4、极限真空： 6.7×10-1 Pa； |
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DHDP-3
射频CCP薄膜沉积装置
（电容耦合） |
1、薄膜沉积室：304不锈钢真空腔体；箱式前开门结构；
2、真空室尺寸：Φ300×400mm；
3、溅射电源：13.56MHz，射频电源：500W；
4、射频耦合方式：电容耦合；
5、放电电极：Φ70 mm平板电极；
6、衬底范围：室温～300℃ PID控温；
7、进气系统：三路质量流量计；
8、工作反应气体：由微孔均匀导入；
9、真空系统：2XZ-4B机械泵+FF160/620分子泵；
10、极限真空：8×10-5 Pa；
11、供电电源：三相AC380V，50Hz；
12、用户自备冷却水、硅烷等。 |
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