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MiniLab-30S PVD 薄膜沉积系统
MiniLab-30S  PVD 薄膜沉积系统
1712013
MiniLab-30S  PVD 薄膜沉积系统
系统可用于开发纳米级的单层及多层功能膜和复合膜,可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜、介质复合膜和其它化学反应膜等。
1溅射沉积室
溅射沉积室为前开门结构,有观察窗和挡板,磁控靶安装在下底盘,基片转台在上盖板,腔室带防污内衬,可拆卸清洗;
1)沉积室尺寸: D型圆筒形,尺寸约ф350×H450mm前开门结构;
2)前门结构:采用铰链、铝制前门,手动,上下2把手,胶圈密封。
2真空系统
2.1抽气系统
1采用复合分子泵+直联旋片泵作为真空抽气系统
2)主抽泵:抽速600L/S,额定转速 36000rpm,氮气压缩比109 
3前级泵:采用DRV-24机械泵及电磁阀,抽速:6L/S
4)主抽阀: CCD-150ACF超高真空电动闸板阀;
*真空系统可以升级为进口分子泵和涡旋干泵
2.2真空测量
1)采用全量程真空计进行测量,测量范围:1×105Pa-1×10-5Pa
2自动恒压采用薄膜压强真空规进行测量,测量范围:13Pa-0.013Pa
*真空测量可以升级为进口全量程冷阴极真空计。
2.3系统性能指标
1极限真空度:优于6.7×10-5Pa (空载经烘烤除气后);
2)恢复真空:从大气抽至6.7×10-4Pa45min
3真空室漏率:关机12小时真空度5Pa。(新设备空载)。
3样品台
1样品台:抽屉式结构可装载最大4英寸基片托(方片尺寸100×100mm),可以根据客户样品形状和大小定制样品托(不超过上述尺寸);
2样品台旋转:转速0-30rpm连续可调;
3样品台加热:最高温度600℃,自动控温及数字显示,精度±0.5可设定升温斜率。加热区内,温度均匀性±5℃
4样品台下方设置气动基片挡板
5)基片可以加-200V 偏压电源。
*标准基片托配夹具,方便装卡不同规格的基片;*样品台可选择水冷,采用基片台背板直接水冷形式;*加热和水冷只能选择一种,不可兼容;
*基片台可按照用户要求个性化定制。
4、磁控溅射靶组件
最多安装三个磁控溅射靶组件
1磁控溅射靶磁路模块化设计,方便不同应用随时更换,磁场不泡水,长阴极寿命;
2)磁控靶可手动调节溅射角度,靶与基片的距离可调;
3)靶头内有水冷并配有屏蔽罩和气动控制挡板;
4)其中至少一个靶位可溅射磁性材料(如镍或铁等);
5)靶材大小为直径50.8mm建议厚度5mm,靶材利用率超过40%
6)镀膜方式:由下往上溅镀。
*根据客户需求配置磁控数量或者选用进口品牌;
*强磁可以溅射NiFe等磁性材料,建议厚度不超过3mm
5工艺气路
3路质量流量计控制的气路,可外接多种气体(气瓶除外);
*根据需求配置气源数量或者选用进口品牌
6溅射电源
1射频电源:功率300W,输出频率:13.56MHz,全自动匹配,数量1套;
2直流溅射电源:最大功率:500W;电压:0-800V可调,数量1套。
*根据客户需求配置电源数量或者选用进口品牌*电源可手动切换使用
7、电气控制
系统采用PLC+液晶屏控制方式,以方便用户进行镀膜工艺参数的摸索;
8、工业冷水机(选配,报价不含)
1)标准制冷量:2941 Kcal/h;    2) 输入功率:1.29 kw
9、用气要求:腔体报空气体N2,工艺气体ArO2N2纯度99.99%以上。

TEL:15319737635
QQ:2841034937  

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相关参数
 型号名称: MiniLab-30S PVD 薄膜沉积系统
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